等集成电路关键材料被欧美、日韩等国外头部厂商所垄断，中国境内集成电路关键材料企业在
目前，国产集成电路关键材料市场占有率较低，且大多分布在在中、低端领域。随着欧美、日韩等在集成电路领域对我国的限制一直在升级，导致中国境内集成电路产业供应链为保障中国境内集成电路产品的稳定供应，需快速推进集成电路关键材料的国产化，尤其是受限制最严重的高端集成电路领域。
公司本次项目的实施，将促进前驱体、SiARC、KrF、ArF等集成电路关键材料的研发和产业化落地，提升有关产品的国产化水平，保障高端集成电路领域的供应链安全。
目前，我国光刻材料、前驱体等集成电路关键材料主要依赖于进口，中国境内厂商在业务规模、产品质量、批次稳定性上都相对落后。
随着中国境内晶圆代工能力的逐步增强，以及下游需求的迅速增加，中国境内主要晶圆厂的产能持续扩张，加之国外头部厂商对我国集成电路行业的限制一直在升级，中国境内集成电路关键材料厂商迎来黄金的发展窗口期。对于已经具有集成电路客户基础的厂商，快速研发出符合参数标准、工艺要求的产品，并保证批量供应能力和产品质量稳定性，将有利于抢占国产化的市场份额。
通过本次项目的实施，公司将在前驱体、SiARC、KrF、ArF等集成电路关键材料实现国产化，填补国内集成电路行业在相关材料领域的空白，有助于公司把握细分市场进入机会，抢占市场先机，实现公司战略发展目标。
报告期内，公司基本的产品包括光刻材料和前驱体材料，相关这类的产品大范围的应用于12 英寸集成电路晶圆制造各类工艺，客户覆盖多家中国境内领先的晶圆厂。前驱体材料方面，公司在研和生产的包括 TEOS 等硅基前驱体材料和四氯化铪等金属基前驱体。
光刻材料方面，三层光刻工艺在中国大陆晶圆厂中应用十分广泛，主要涉及的光刻材料有光刻胶、SiARC 和 SOC，SiARC项目开展将促进公司 SOC相关这类的产品的销售，KrF、ArF将更好地实现用户先进制程的需求；Top Coating是用于超高端芯片制造的辅助材料，即顶部抗水涂层，搭配浸没式光刻胶 ArFi 使用，可防止光刻胶的有机物成分进入光刻机中导致的污染光刻机镜头，可适用于45nm~7nm芯片制造。
本次项目的实施将进一步丰富公司产品矩阵，更好地实现用户的国产化需求，扩大公司品牌影响力。
本次项目相关这类的产品的开发和产业化属于《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024 年版）》中重点发展的品类。2022 年 1 月，国务院发布《“十四五”数字化的经济发展规划》通知，提出为了加快推进数字产业化，需要增强关键技术创造新兴事物的能力及提高核心产业竞争力，瞄准集成电路、新材料等战略性前瞻性领域，发挥我国社会主义制度优势、新型制优势、超大规模市场优势，提升关键基础材料和生产装备的供给水平，强化关键产品自给保障能力。
2022 年 12 月，中央、国务院根据《中华人民共和国国民经济与社会持续健康发展第十四个五年规划和2035 年远大目标纲要》，制定《扩大内需战略规划纲要（2022-2035 年）》，提出加快发展新产业新产品以提高供给质量和带动需求更好实现。全方面提升信息技术产业核心竞争力，推动集成电路技术创新和应用，推进前沿新材料研发应用。
2023年 2 月，中央、国务院印发了《质量强国建设纲要》，要求各地区各部门结合实际认真贯彻落实，开展材料的品质提升关键共性研发技术和应用验证，提高材料的品质稳定性、一致性、适用性水平。为进一步落实“十四五”的战略规划，国家各部委以及地方政府出台了一系列政策指导，扶持集成电路相关产业的发展。
国务院出台的《新时期促进集成电路产业和软件产业高水平发展的若干政策》给予集成电路设计、装备、材料、封装测试企业更为优惠的税收政策，进一步减轻集成电路企业的负担；《关于促进集成电路产业和软件产业高水平质量的发展企业所得税政策的公告》明确了国家鼓励的集成电路生产、设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业的税收优惠政策；《福建省“十四五”制造业高水平质量的发展专项规划》精确指出，要增强集成电路材料和装备本地配套及服务能力，支持大尺寸硅片、光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、化合物半导体材料、溅射靶材以及沉积设备、刻蚀设备、半导体检测设备等研发和产业化。
综上，国家从产业政策、税收优惠等每个方面积极推动集成电路关键材料的发展，为本次项目的实施奠定了政策基础。
公司聚集了一支高学历、高素质、富有开拓进取和创新精神的研发队伍及有着非常丰富经验的生产技术专家，积极开展集成电路关键材料的研究开发。公司核心团队既包括曾任职于境内主流晶圆厂的光刻工艺技术专家，也包括拥有材料专业背景的高级人才，专业涵盖了集成电路关键材料的前端合成与分析测试以及后端应用，在集成电路材料行业积累了数年的丰富经验和先进技术。
在前驱体方面，目前公司已有多款产品实现量产，具备完善的配套设备和优秀的开发团队，不但可以满足产品各项性能的测试，而且在精馏提纯等关键生产步骤上积累了丰富的经验。本次项目计划研发的多种前驱体已经完成产品的设计，并按照研发流程逐步推进优化改性、客户端测试验证、中试以及量产化等产业化步骤。
在 SiARC 材料方面，公司目前具有电感耦合等离子体质谱仪、核磁共振仪、液态粒子计数仪、高效液相色谱、气相色谱仪等测试设备，能够完全满足 SiARC 项目各项性能的测试，目前已完成研发的部分工作，正在向中国境内知名的半导体芯片制造企业送加仑样品评估测试。在 KrF、ArF 方面，公司已有多款产品在客户做验证或完成验证。
随着我国集成电路制造工艺制程和封装技术的持续提升，先进制程芯片对集成电路关键材料的需求亦随之大幅度的增加。前驱体的使用能够改善芯片性能，且芯片制程越先进，所使用的前驱体品种越多、价格越高。
在 20nm 以下的技术节点，关键层的光刻胶膜厚降低，需要具有更高刻蚀选择比的底部抗反射材料，SiARC通常与低温旋涂碳材料以及光刻胶配合使用，在先进制程“三层结构”中被大范围的应用。先进封装作为晶圆制造的后道工序，在持续压缩芯片体积、提高加工效率、提高设计效率和减少设计成本方面不断发挥重要作用。
KrF、ArF 作为高端光刻胶，在先进制程光刻工序得到普遍应用，且目前国产化率极低。根据弗若斯特沙利文预测，中国境内集成电路前驱体的市场规模将由 2023年 52.5 亿元增长到 2028 年 176.0 亿元，年复合增长 27.4%。其中，硅基前驱体将由 2023 年 25.6 亿元增长到 2028 年 72.6 亿元，年复合增长率 23.2%；金属基前驱体将由 2023 年 26.9 亿元增长到 2028 年 103.4 亿元，年复合增长率 30.9%。
综上，先进制程芯片对集成电路关键材料的需求量开始上涨，为本次项目的实施创造了市场条件。
公司主营业务为集成电路领域关键材料的研发、生产和销售，相关这类的产品大范围的应用于 12 英寸集成电路晶圆制造各类工艺。本次项目的实施将加强完善公司产品线布局，丰富公司产品品种类型，推动公司技术创新，提升公司竞争力，同时实现用户持续增长的国产化需求。
本项目拟投资 51,911.33 万元人民币，分 60 个月投入。此投资将用于集成电路前驱体产品的开发和产业化。本项目有利于公司在已有的产品和研发基础能力上制造在中国境内领先的集成电路前驱体产品，项目建成后公司预计每年将实现3.3 亿元集成电路前驱体产品营销售卖额。
本项目实施主体为大连恒坤新材料有限公司。公司将根据资本预算安排，按实施阶段分步进行。本项目的建设周期预计为 60 个月。
本项目建设地点位于辽宁省大连市，公司已取得辽（2019）大连普湾不动产权第 11900059 号《不动产权证书》。
本项目顺利建成投产后，达产年预计可实现出售的收益 33,099.50 万元，达产年净利润 12,998.59 万元，财务内部收益率（税后）为 16.83%，税后投资回收期（含建设期）为 7.90 年，经济效益较好。
本项目运营期废气包括生产的全部过程的浓缩废气、精馏废气、分析检验废气、危废暂存间废气等，污染物主要是挥发性有机物、颗粒物、氯化氢等。挥发性有机物采用燃烧、吸附方式来进行处理，颗粒物由设备自带水洗单元做处理，氯化氢采用碱吸收塔做处理，污染物经以上处理解决措施处理后可以达标排放。
本项目新钢瓶清洗废水依托厂区污水处理站处理后，与纯水制备浓水、蒸汽冷凝水及经化粪池氧化分解的生活垃圾污水一起，经厂区现有污水排放口排入市政污水管网，最终进入污水处理厂进行集中处理。
本项目新增添的设备选购低噪声设备，加强运行设备的维护和定期检修，并采取必要的隔声减振措施。
本项目产生的危险废物暂存于现有危险废物暂存间内，定期委托有危废处理资质单位做处置；普通工业固态废料委托综合利用。
本项目已取得《关于大连恒坤新材料有限公司集成电路前驱体二期项目环境影响报告表的审批决定》（大环评准字[2022]100190）和《关于对大连恒坤新材料有限公司集成电路前驱体项目（二期）改扩建工程环境影响报告书的批准决定》（大环评准字[2024]000028 号）。
完整版可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资产金额来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。
此报告为摘录公开部分。定制化编制政府立项审批备案、国资委备案、银行贷款、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可研报告可咨询思瀚产业研究院。返回搜狐，查看更加多
